高温栅偏试验
简称HTGB，英文名称High Temperature Gate Bias。在高温条件下，将栅极与发射极短接，在集电极与发射极间加上设定的直流电压，验证栅极漏电流的稳定性。
 
□试验对象
各种封装的二极管、半桥、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等半导体器件
 
□测试标准
IEC 60747-9
 
□测试条件
1000小时，VGE=±20V（+/-方向都需测试，各一半测试样品）,Tj=Tj(max) 
 
□测试原理图如下
 

 
说明：在测试中，需持续监测门极的漏电流和门极开通电压，若这两项，参数超出指定规格，则模块将不能通过此项测试。
 
□用途
判断器件的质量好坏，评价其可靠性水平。
 
□试验系统构成及技术指标
由漏电流测试系统与高温老化试验箱构成高温反偏老化试验系□统，技术指标如下：