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021-3126 6656高温反向偏压试验
简称HTRB,英文名称High Temperature Reverse Bias。在高温条件下(100℃以上),持续提供80%规格的反向电压,在长时间(48小时以上)工作下,半导体器件的反向漏电流在规定范围内保持稳定的试验。
□试验对象
各种封装的二极管、半桥、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等半导体器件
□测试标准
IEC 60747-9;MIL-STD-750F;METHOD-1038
□试验条件
类别 | 温度 | 反向偏压 | 时间或周期 | 参考标准 |
肖特基芯片 | 100±5℃ | 80%规格 | 48/96/168/1000H | IEC 60747-9 MIL-STD-750F METHOD-1038 |
酸洗芯片 | 125±5℃ | |||
玻璃钝化芯片 | 150±5℃ |
□测试原理图如下
说明:在测试中,需持续监测门极的漏电流和门极开通电压,若这两项参数超出指定规格,则模块将不能通过此项测试。
□用途
判断器件的质量好坏,评价其可靠性水平。
□试验系统构成及技术指标
由漏电流测试系统与高温老化试验箱构成高温反偏老化试验系统,技术指标如下:
漏电流测试系统 | 型号:HVT-3000 |
标配:2 ~ 4 个组(64通道/组) 可选:32通道/组 | |
试验电源:2~4 个电源可选 (1个电源对应1个组); |
反向电压:最大1000V | |
电流检测范围:100aA~20mA | |
电流检测速度:3.5秒/通道(典型);256通道≦10分钟 | |
外形尺寸:1800H×600W×1000D(mm) | |
高温老化试验箱 | 型号:DHHT-100 |
内尺寸: 500H×400W×500D(mm) | |
温度范围:常温~200℃/ 300℃ | |
温度波动度:±0.1℃~±0.5℃(空载) | |
外形尺寸:940H×1300W×740D(mm) | |
电源:AC 220V±10%;50Hz |
举例
1)以二极管SF58G为例,在150℃的老化环境温度下,持续提供420V的反向电压(规格书耐压为600V)
可见此样品在1小时内,温度升高,漏电流逐渐升高,在1小时时稳定下来,说明此样品在高温下能稳定工作(注:此实验只模拟高温和反向电压施压下的反向漏电流,没有通正向的电流)。
2)以二极管“SF56G”为例,在150℃的老化环境温度下,持续提供320V的反向电压(规格书耐压为400V)
可见有二只样品的漏电流急速上升,说明此样品在高温高压下,比较不稳定,有可能使用一段时间后,有反向漏电流击穿的风险。
结论
HTRB实验在二极管老化项目的重点项目之一,它可以模拟终端应用中的高温高电压下的二极管状况,在批量生产前的小样可靠性实验中,也显得极其重要!