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高温反偏老化试验测试系统方案(HTRB测试)

发布日期:2021-09-14 00:00
信息摘要:
高温反向偏压试验简称HTRB,英文名称High Temperature Reverse Bias。在高温条件下(100℃以上),持续提供80%规格的反向电压,在长时间(48小时以上)工作下,半导体器件的反向漏电流在规定范围内...

高温反向偏压试验
简称HTRB,英文名称High Temperature Reverse Bias。在高温条件下(100℃以上),持续提供80%规格的反向电压,在长时间(48小时以上)工作下,半导体器件的反向漏电流在规定范围内保持稳定的试验。
 
□试验对象
各种封装的二极管、半桥、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等半导体器件
 
□测试标准
IEC 60747-9;MIL-STD-750F;METHOD-1038
 
□试验条件

类别温度反向偏压时间或周期参考标准
肖特基芯片100±5℃80%规格48/96/168/1000HIEC 60747-9
MIL-STD-750F
METHOD-1038
酸洗芯片125±5℃
玻璃钝化芯片150±5℃

 
□测试原理图如下

 

 
说明:在测试中,需持续监测门极的漏电流和门极开通电压,若这两项参数超出指定规格,则模块将不能通过此项测试。
 
□用途
判断器件的质量好坏,评价其可靠性水平。
 
□试验系统构成及技术指标
由漏电流测试系统与高温老化试验箱构成高温反偏老化试验系统,技术指标如下:

漏电流测试系统型号:HVT-3000

标配:2 ~ 4 个组(64通道/组) 可选:32通道/组

试验电源:2~4 个电源可选 (1个电源对应1个组);



反向电压:最大1000V

电流检测范围:100aA~20mA

电流检测速度:3.5秒/通道(典型);256通道≦10分钟

外形尺寸:1800H×600W×1000D(mm)
高温老化试验箱型号:DHHT-100

内尺寸: 500H×400W×500D(mm)

温度范围:常温~200℃/ 300℃

温度波动度:±0.1℃~±0.5℃(空载)

外形尺寸:940H×1300W×740D(mm)

电源:AC 220V±10%;50Hz

 
举例
1)以二极管SF58G为例,在150℃的老化环境温度下,持续提供420V的反向电压(规格书耐压为600V)

 
可见此样品在1小时内,温度升高,漏电流逐渐升高,在1小时时稳定下来,说明此样品在高温下能稳定工作(注:此实验只模拟高温和反向电压施压下的反向漏电流,没有通正向的电流)。
 
2)以二极管“SF56G”为例,在150℃的老化环境温度下,持续提供320V的反向电压(规格书耐压为400V)



 
可见有二只样品的漏电流急速上升,说明此样品在高温高压下,比较不稳定,有可能使用一段时间后,有反向漏电流击穿的风险。
 
结论
HTRB实验在二极管老化项目的重点项目之一,它可以模拟终端应用中的高温高电压下的二极管状况,在批量生产前的小样可靠性实验中,也显得极其重要!


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